MT29F128G08CBECBH6-12:C TR

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유품

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규격

제품 모델

MT29F128G08CBECBH6-12:C TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F128G08CBECBH6-12:C TR-ND
MT29F128G08CBECBH6-12:CTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

128Gb (16G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) Parallel 83MHz
클럭 주파수

83MHz

다음은 "MT29F128G08CBECBH6-12:C TR"관련 제품입니다.

MT29F128G08CEAAAC5:A

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 52VLGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CECABH1-12:A

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

기술: IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CECABH1-12ITZ:A

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CBEABH6-12M:A TR

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CECABH1-12IT:A

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CBECBL95B3WC1

기술: IC FLASH 128G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R

기술: IC FLASH 128G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

기술: IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CECABH1-10Z:A

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F128G08CBEABL85A3WC1

기술: IC FLASH 128G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F128G08CBECBH6-12M:C

기술: IC FLASH 128G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ