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MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR

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  • 제품 모델
    MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 1G SPI 8UPDFN
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 제조업체 장치 패키지
    8-U-PDFN (8x6)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-UDFN
  • 다른 이름들
    557-1655-2
    MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (1G x 1)
  • 메모리 인터페이스
    SPI
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (1G x 1) SPI 8-U-PDFN (8x6)

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기술: IC FLASH 1G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 1G SPI 8UPDFN

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR

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기술: IC FLASH 1G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology
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MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 1G SPI UPDFN

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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기술: IC FLASH 1G SPI SOIC

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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기술: IC FLASH SLC 1GBIT 1GX1

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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기술: IC FLASH 1G SPI 16SOP

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