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MT29F1G08ABADAWP:D TR

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유품

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규격

제품 모델

MT29F1G08ABADAWP:D TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
제조업체 장치 패키지

48-TSOP I
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
다른 이름들

557-1484-2
MT29F1G08ABADAWPDTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 48-TSOP I
기본 부품 번호

MT29F1G08

다음은 "MT29F1G08ABADAWP:D TR"관련 제품입니다.

MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E

기술: IC FLASH 1G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E TR

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1G08ABADAWP-E:D

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F1G08ABADAH4:D

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F1G08ABADAWP-IT:D

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1G08ABADAWP-E:D TR

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT29F1G08ABADAWP-ITE:D

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology

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제조업체: Micron Technology

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