MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR

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유품

1000+

$110.911

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규격

제품 모델

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.5 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR-ND
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:BTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) Parallel 333MHz
클럭 주파수

333MHz

다음은 "MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR"관련 제품입니다.

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR

기술: IC FLASH 1.5T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F1T08CMHBBJ4-3RES:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1T08CPCCBH8-6C:C

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F1T08CPECBH8-12:C TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F1T08CPCCBH8-6R:C TR

기술: IC FLASH 1T PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ