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MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR

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유품

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규격

제품 모델

MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.5 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR-ND
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:BTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 333MHz
클럭 주파수

333MHz

다음은 "MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR"관련 제품입니다.

MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F256G08CECABH6-6:A

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 152VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F256G08CBCBBWP-10:B

기술: MLC 256G 32GX8 TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F256G08CECABH6-6:A TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 152VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F256G08CECCBH6-6C:C

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

기술: IC FLASH 256G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B

기술: IC FLASH

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08CBCBBWP-10M:B

기술: MLC 256G 32GX8 TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08CECABH6-6R:A

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 152VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ