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MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR

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    MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR-ND
    MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:ATR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    256Gb (32G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 83MHz
  • 클럭 주파수
    83MHz

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

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MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F256G08CMCABH2-12:A

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F256G08CMCABH2-12Z:A

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR

MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

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MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR

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기술: IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

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