MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR

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유품

1000+

$3.442

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규격

제품 모델

MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR-ND
MT29F2G01ABAGD12-IT:GTR
작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

2Gb (2G x 1)
메모리 인터페이스

SPI
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 2Gb (2G x 1) SPI 83MHz
클럭 주파수

83MHz

다음은 "MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR"관련 제품입니다.

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR

기술: IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR

기술: IC FLASH 2G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

기술: IC FLASH 2G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F2G01AAAEDH4:E TR

기술: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR

기술: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G01ABBGDSF-IT:G

기술: IC FLASH 2G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G01ABAGDSF-IT:G

기술: IC FLASH 2G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01AAAEDH4-IT:E

기술: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F256G08EFEBBWP:B TR

기술: IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR

기술: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01ABAGDSF-IT:G TR

기술: IC FLASH 2G SPI 16SOP

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E

기술: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G

기술: IC FLASH 2G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01AAAEDH4:E

기술: IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

기술: IC FLASH 2G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology

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