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MT29F2G08ABBEAH4:E TR

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유품

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온라인 문의

규격

제품 모델

MT29F2G08ABBEAH4:E TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.7 V ~ 1.95 V
과학 기술

FLASH - NAND
제조업체 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

63-VFBGA
다른 이름들

MT29F2G08ABBEAH4:E TR-ND
MT29F2G08ABBEAH4:ETR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)
기본 부품 번호

MT29F2G08

다음은 "MT29F2G08ABBEAH4:E TR"관련 제품입니다.

MT29F2G08ABBEAHC-IT:E

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBEAHC:E

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G

기술: IC FLASH 2G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBEAHC:E TR

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBFAH4-IT:F

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBEAM69A3WC1

기술: IC FLASH 2G PARALLEL

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G TR

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBFAH4:F

기술: IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E

기술: IC FLASH 2G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ