MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR

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제품 모델

MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR-ND
MT29F4G08ABADAH4-AITX:DTR
작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

다음은 "MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR"관련 제품입니다.

MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08ABADAH4-AT:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08AACWC-ET:C TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08ABADAH4-AITX:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08AACHC:C TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F4G08ABADAH4-ITX:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F4G08AACHC:C

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F4G08ABADAH4:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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MT29F4G08AAAWP:A TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR

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