MT29F4G16ABADAWP:D

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유품

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$5.558

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규격

제품 모델

MT29F4G16ABADAWP:D
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel

다음은 "MT29F4G16ABADAWP:D"관련 제품입니다.

MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F

기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABAEAH4-IT:E

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABADAH4-IT:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABADAWP-AIT:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABADAH4:D TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABADAM60A3WC1

기술: IC FLASH 4G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F4G16ABAEAH4:E TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABAEAWP:E TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABADAWP-IT:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology

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MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F4G16ABADAH4:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F4G16ABAEAH4:E

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR

기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ