MT29F512G08CMECBH7-12:C TR

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유품

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규격

제품 모델

MT29F512G08CMECBH7-12:C TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT29F512G08CMECBH7-12:C TR-ND
MT29F512G08CMECBH7-12:CTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 83MHz
클럭 주파수

83MHz

다음은 "MT29F512G08CMECBH7-12:C TR"관련 제품입니다.

MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CUCABH3-10:A

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CUCABH3-10R:A

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CMEABH7-12:A

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR

기술: MLC 512G 64GX8 VBGA IT QDP L05B

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

기술: MLC 512G 64GX8 VBGA IT QDP L05B

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ