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MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

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  • 제품 모델
    MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.5 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR-ND
    MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:ATR
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    512Gb (64G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 무연 상태
    Lead free
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 333MHz
  • 클럭 주파수
    333MHz

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MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

기술: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

기술: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR

MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR

MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D

MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

기술: NAND FLASH

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR

기술: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

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기술: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology
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