MT29F64G08CBCABH1-12Z:A

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유품

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규격

제품 모델

MT29F64G08CBCABH1-12Z:A
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC FLASH 64G PARALLEL 100VBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

2.7 V ~ 3.6 V
과학 기술

FLASH - NAND
제조업체 장치 패키지

100-VBGA (12x18)
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

100-VBGA
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Non-Volatile
메모리 크기

64Gb (8G x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

FLASH
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) Parallel 83MHz 100-VBGA (12x18)
클럭 주파수

83MHz

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MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

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MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F64G08CBABBWP-12IT:B

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F64G08CBCABH1-12:A

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F64G08CBABBWPR:B TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F64G08CBABBWP-12:B TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT29F64G08CBCBBH1-10:B

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100VBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT29F64G08CBCBBH1-10X:B

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A

기술: IC FLASH 64G PARALLEL 100VBGA

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기술: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

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기술: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

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기술: IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP

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