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MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR

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  • 제품 모델
    MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.8V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR-ND
    MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85GTR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH, RAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) Parallel 533MHz
  • 클럭 주파수
    533MHz

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MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR

MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR

기술: SLC EMMC/LPDDR2 36G

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

기술: IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

기술: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

기술: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

기술: IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR

MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR

기술: IC FLASH 72G SLC DDR

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR

MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR

기술: IC FLASH 36G SLC DDR

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

기술: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G

MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G

기술: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

기술: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

기술: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H

기술: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

기술: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

기술: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4

MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4

기술: IC FLASH 72G SLC DDR

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4

MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4

기술: IC FLASH 36G SLC DDR

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR

MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR

기술: MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0

MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0

기술: IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR

MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR

기술: MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

기술: IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology
유품
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