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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C

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  • 제품 모델
    MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.8V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
  • 연속
    -
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH, RAM
  • 상세 설명
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
  • 클럭 주파수
    533MHz

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기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR

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기술: IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology
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MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR

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기술: IC FLASH 6G DDR2

제조업체: Micron Technology
유품
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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

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기술: IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology
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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR

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기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U

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기술: IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U

MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U

기술: IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology
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MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2

MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2

기술: IC FLASH 8G DDR2

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기술: IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR

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기술: IC FLASH 8G DDR2

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기술: IC FLASH 8G DDR 168BGA

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