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MT40A1G8SA-062E IT:E TR

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  • 제품 모델
    MT40A1G8SA-062E IT:E TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.26 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR4
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT40A1G8SA-062E IT:E TR-ND
    MT40A1G8SA-062EIT:ETR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (1G x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 상태
    Lead free
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 1.6GHz
  • 클럭 주파수
    1.6GHz

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MT40A1G8SA-062E:E TR

MT40A1G8SA-062E:E TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A1G8SA-075:E

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A1G4RH-075E:B TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT40A1G16WBU-083E:B TR

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A1G8SA-062E IT:E

MT40A1G8SA-062E IT:E

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A1G8PM-083E:A TR

MT40A1G8PM-083E:A TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT40A1G8SA-062E:E

MT40A1G8SA-062E:E

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A1G4HX-083E:A

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT40A1G8WE-075E IT:B TR

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A1G16WBU-083E:B

MT40A1G16WBU-083E:B

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MT40A1G8PM-083E:A

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A1G4RH-083E:B

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MT40A1G8WE-075E:B

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MT40A1G4HX-093E:A

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MT40A1G4RH-075E:B

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