Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > MT40A2G4SA-062E:E TR
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1290009

MT40A2G4SA-062E:E TR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2000+
$31.59
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MT40A2G4SA-062E:E TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.26 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR4
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT40A2G4SA-062E:E TR-ND
    MT40A2G4SA-062E:ETR
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (2G x 4)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.6GHz
  • 클럭 주파수
    1.6GHz
MT40A2G4WE-075E:D

MT40A2G4WE-075E:D

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4PM-083E:A

MT40A2G4PM-083E:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4WE-083E:B

MT40A2G4WE-083E:B

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

기술: DDR4 4G DIE 256MX16

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4TRF-083E:A

MT40A2G4TRF-083E:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4WE-075E:D TR

MT40A2G4WE-075E:D TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
유품
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오