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MT40A2G4WE-083E:B TR

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  • 제품 모델
    MT40A2G4WE-083E:B TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT40A2G4WE-083E:B TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.26 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR4
  • 제조업체 장치 패키지
    78-FBGA (8x12)
  • 연속
    -
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    78-TFBGA
  • 다른 이름들
    557-1732-1
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (2G x 4)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (8x12)
  • 클럭 주파수
    1.2GHz

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제조업체: Micron Technology
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MT40A2G4TRF-083E:A

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A2G4SA-075:E TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A2G4WE-075E:B

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology
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MT40A2G8NRE-083E:B

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A4G4FSE-083E:A

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A2G8FSE-093E:A

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 1067MHZ

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MT40A2G8NRE-083E:B TR

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT40A2G4SA-075:E

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A2G4WE-075E:D TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A2G4WE-075E:B TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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MT40A4G4HPR-075H:G

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MT40A2G8FSE-083E:A TR

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