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1767545MT41J128M16HA-15E:D 이미지Micron Technology

MT41J128M16HA-15E:D

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  • 제품 모델
    MT41J128M16HA-15E:D
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT41J128M16HA-15E:D.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.425 V ~ 1.575 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3
  • 제조업체 장치 패키지
    96-FBGA (9x14)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    96-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 667MHz 13.5ns 96-FBGA (9x14)
  • 클럭 주파수
    667MHz
  • 기본 부품 번호
    MT41J128M16
  • 액세스 시간
    13.5ns

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT41DC11TW-V88A TR

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기술: IC SDRAM DDR3 1G NANA NA

제조업체: Micron Technology
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MT41J128M16HA-15E IT:D

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41J128M16JT-093G:K TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41J128M16HA-125:D

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41DCHA-V80A:E

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기술: IC DDR3 4G NANA FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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MT41J128M16HA-15E AIT:D

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MT41J128M16HA-125G:D

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