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MT41J512M8THU-15E:A

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  • 제품 모델
    MT41J512M8THU-15E:A
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.425 V ~ 1.575 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    82-FBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 667MHz 13.5ns
  • 클럭 주파수
    667MHz
  • 기본 부품 번호
    MT41J512M8
  • 액세스 시간
    13.5ns

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MT41J512M8THD-15E:D

MT41J512M8THD-15E:D

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41J512M4HX-187E:D

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41J512M8THU-187E:A

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41J512M8RA-15E IT:D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41J64M16JT-15E AAT:G

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41J64M16JT-15E AAT:G TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41J512M4HX-15E:D

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41J64M16JT-125E:G

MT41J64M16JT-125E:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41J512M4JE-15E:A

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41J512M8RH-093:E TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41J64M16JT-107:G

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41J512M8RH-107:E

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41J64M16JT-15E IT:G

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41J64M16JT-125:G

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MT41J64M16JT-125:G TR

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MT41J512M8RH-093:E

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41J64M16JT-15E AIT:G TR

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MT41J64M16JT-15E AIT:G

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MT41J512M8THD-187E:D

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