MT41J64M16JT-187E:G TR

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유품

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규격

제품 모델

MT41J64M16JT-187E:G TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MT41J64M16JT-187E:G TR.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.425 V ~ 1.575 V
과학 기술

SDRAM - DDR3
제조업체 장치 패키지

96-FBGA (8x14)
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

96-TFBGA
다른 이름들

MT41J64M16JT-187E:G TR-ND
MT41J64M16JT-187E:GTR
작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 96-FBGA (8x14)
클럭 주파수

533MHz
기본 부품 번호

MT41J64M16

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT41J64M16JT-15E:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT41J64M16JT-15E IT:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology

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