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MT41K1G4THV-15E:M

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  • 제품 모델
    MT41K1G4THV-15E:M
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT41K1G4THV-15E:M.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3
  • 제조업체 장치 패키지
    78-FBGA (8x11.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    78-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (1G x 4)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (1G x 4) Parallel 667MHz 13.5ns 78-FBGA (8x11.5)
  • 클럭 주파수
    667MHz
  • 기본 부품 번호
    MT41K1G4
  • 액세스 시간
    13.5ns

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MT41K1G8RKB-107:N

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제조업체: Micron Technology
유품
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MT41K1G8SN-107 IT:A TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K1G8SN-125 IT:A TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41K1G4THV-125:M

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41K1G8SN-125 IT:A

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT41K1G8RKB-107:P

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기술: IC SDRAM 8G DIE

제조업체: Micron Technology
유품
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41K1G4RG-107:N

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT41K1G8SN-125:A

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K1G4RH-107:E TR

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제조업체: Micron Technology
유품
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MT41K1G8SN-107 IT:A

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT41K1G4THD-15E:D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K1G4DA-107:P TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K1G4RH-107:E

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