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MT41K256M8V89CWC1

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  • 제품 모델
    MT41K256M8V89CWC1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3L
  • 연속
    -
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel
MT41K2G4RKB-107:N TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT41K2G4TRF-125:E TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT41K256M8DA-15E:M

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT41K256M8DA-125 IT:K TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT41K256M8HX-187E:D

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G4SN-125:A TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G4SN-125:A

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G4TRF-125:E

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M8DA-125:M

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G8KJR-125:A

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기술: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G4SN-107:A TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G4TRF-107:E

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G4RKB-107:N

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M8DA-125:K TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K2G4TRF-107:E TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M8DA-125 AUT:K

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT41K256M8DA-125 AUT:K TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

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