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MT41K512M4DA-125:K

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  • 제품 모델
    MT41K512M4DA-125:K
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT41K512M4DA-125:K.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3L
  • 제조업체 장치 패키지
    78-FBGA (8x10.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    78-TFBGA
  • 다른 이름들
    557-1721
    MT41K512M4DA-125:K-ND
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (512M x 4)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3L Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
  • 클럭 주파수
    800MHz
  • 기본 부품 번호
    MT41K512M4
  • 액세스 시간
    13.75ns

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M4DA-125:K TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8DA-093:P

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8DA-093 IT:P TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8DA-093 IT:P

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

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MT41K512M16TNA-125:E TR

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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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기술: DDR3 8G DIE 512MX16

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M16TNA-125 M:E

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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