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MT41K512M8RG-093:N

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  • 제품 모델
    MT41K512M8RG-093:N
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3L
  • 제조업체 장치 패키지
    78-FBGA (7.5x10.6)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    78-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1067MHz 20ns 78-FBGA (7.5x10.6)
  • 클럭 주파수
    1067MHz
  • 액세스 시간
    20ns

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제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8DA-107 V:P

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8RH-107:E TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT41K512M8RH-107:E

MT41K512M8RH-107:E

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8DA-107:P

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8RG-093:N TR

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MT41K512M8DA-125:P TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

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MT41K512M8RH-125 AIT:E

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8RH-107 IT:E

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MT41K512M8RH-125 AAT:E

MT41K512M8RH-125 AAT:E

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MT41K512M8RG-107:N TR

MT41K512M8RG-107:N TR

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MT41K512M8DA-107 XIT:P TR

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MT41K512M8RG-107:N

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MT41K512M8DA-107 XIT:P

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MT41K512M8RH-125 AAT:E TR

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MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

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