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MT41K512M8RH-125:E

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  • 제품 모델
    MT41K512M8RH-125:E
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT41K512M8RH-125:E.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3L
  • 제조업체 장치 패키지
    78-FBGA (9x10.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    78-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
  • 클럭 주파수
    800MHz
  • 기본 부품 번호
    MT41K512M8
  • 액세스 시간
    13.75ns

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MT41K512M8THD-15E:D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K512M8V00HWC1

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

기술: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K512M8RH-125 M:E TR

MT41K512M8RH-125 M:E TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K512M8RH-125:E TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N001

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K512M8RH-125 V:E

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

기술: IC DRAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT41K512M8RH-125 V:E TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 XIT:E

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M8RH-125 IT:E TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M8RH-125 M:E

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MT41K512M8RH-125 IT:E

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MT41K64M16JT-125:G TR

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MT41K512M8RH-125 M AIT:E

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