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MT41K64M16TW-107 AAT:J

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    MT41K64M16TW-107 AAT:J
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.283 V ~ 1.45 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR3L
  • 제조업체 장치 패키지
    96-FBGA (8x14)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    96-TFBGA
  • 다른 이름들
    MT41K64M16TW-107 AAT:J-ND
    MT41K64M16TW-107AAT:J
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
  • 클럭 주파수
    933MHz
  • 액세스 시간
    20ns
MT41K64M16JT-15E:G TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT41K512M8V00HWC1

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MT41K512M8V80AWC1

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M8V90BWC1

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL

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MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

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MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

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MT41K64M16TW-107 IT:J

MT41K64M16TW-107 IT:J

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K512M8V00HWC1-N002

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL

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MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

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MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K64M16TW-107 XIT:J TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K64M16JT-15E:G

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

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MT41K64M16TW-107 XIT:J

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