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MT42L128M64D2LL-18 WT:A

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  • 제품 모델
    MT42L128M64D2LL-18 WT:A
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT42L128M64D2LL-18 WT:A.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.3 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    216-FBGA (12x12)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    216-WFBGA
  • 다른 이름들
    MT42L128M64D2LL-18 WT:A-ND
    MT42L128M64D2LL-18WT:A
  • 작동 온도
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (128M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz 216-FBGA (12x12)
  • 클럭 주파수
    533MHz
  • 기본 부품 번호
    MT42L128M64

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MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR

MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M64D2MC-25 WT:A

MT42L128M64D2MC-25 WT:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR

MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M32D1U80MWC1

MT42L128M32D1U80MWC1

기술: IC DRAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR

MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M64D2MC-18 WT:A

MT42L128M64D2MC-18 WT:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR

MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT42L128M32D2MH-3 IT:A

MT42L128M32D2MH-3 IT:A

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT42L128M64D2LL-25 WT:A

MT42L128M64D2LL-25 WT:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT42L128M64D2MC-18 WT:A TR

MT42L128M64D2MC-18 WT:A TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

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MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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MT42L128M64D2LL-25 IT:A

MT42L128M64D2LL-25 IT:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

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MT42L128M32D2KL-3 IT:A

MT42L128M32D2KL-3 IT:A

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

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MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR

MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

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MT42L128M32D2KL-25 IT:A

MT42L128M32D2KL-25 IT:A

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

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MT42L128M64D2LL-25 IT:A TR

MT42L128M64D2LL-25 IT:A TR

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

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MT42L128M64D2LN-18 WT:A

MT42L128M64D2LN-18 WT:A

기술: IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

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MT42L128M32D2MH-25 IT:A

MT42L128M32D2MH-25 IT:A

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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MT42L128M32D1U80MWC2

MT42L128M32D1U80MWC2

기술: IC DRAM 4G PARALLEL

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