MT44K64M18RB-083E:A

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규격

제품 모델

MT44K64M18RB-083E:A
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MT44K64M18RB-083E:A.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.28 V ~ 1.42 V
과학 기술

DRAM
연속

-
작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

1.125Gb (64Mb x 18)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 7.5ns
클럭 주파수

1200MHz
액세스 시간

7.5ns

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MT44K32M36RB-093F:A TR

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

제조업체: Micron Technology

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MT44K32M36RB-107E:A TR

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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MT44K64M18RB-107E:A

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

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MT44K64M18RB-083E:A TR

기술: IC RLDRAM 3 1.125GBIT 64MX18 TBG

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MT44K64M18RB-093F:A TR

기술: IC RLDRAM 1.125GBIT 1.067GHZ BGA

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MT44K32M36RCT-125:A TR

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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MT44K32M36RB-107E IT:A

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

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MT44K64M18RB-107E IT:A TR

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

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MT44K32M36RCT-125 IT:A TR

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

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MT44K32M36RB-093F:A

기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1067MHZ

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 168BGA

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기술: RLDRAM 3 1.125G 64MX18 TBGA

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 933MHZ

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기술: IC DRAM 1.125G PARALLEL 800MHZ

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MT44K32M36RCT-125:A TR

MT44K32M36RB-107E IT:A

MT44K64M18RB-107E IT:A TR

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