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MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR

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    MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-VFBGA (10x10)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    60-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR-ND
    MT46H128M16LFB7-5AIT:BTR
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (128M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 200MHz 5.0ns 60-VFBGA (10x10)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    MT46H128M16
  • 액세스 시간
    5.0ns
MT46H128M16LFB7-6 WT:B

MT46H128M16LFB7-6 WT:B

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT45W8MW16BGX-701 IT TR

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기술: IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT45W512KW16PEGA-70 IT TR

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기술: IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H128M16LFCK-5 IT:A

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT45W8MW16BGX-701 IT

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기술: IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H128M16LFB7-5 IT:B

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR

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MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M16LFB7-5 WT:B

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MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR

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MT45W512KW16BEGB-708 WT TR

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MT46H128M16LFB7-6 IT:B

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MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H128M16LFB7-5 AIT:B

MT46H128M16LFB7-5 AIT:B

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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MT45W8MW16BGX-856 AT

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MT45W4MW16PFA-85 WT TR

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MT45W8MW16BGX-701 WT TR

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MT45W512KW16PEGA-70 WT TR

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MT46H128M16LFCK-6 IT:A

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MT45W8MW16BGX-708 WT TR

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