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MT46H128M32L2KQ-48 IT:C

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  • 제품 모델
    MT46H128M32L2KQ-48 IT:C
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT46H128M32L2KQ-48 IT:C.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    14.4ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    168-WFBGA (12x12)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    168-WFBGA
  • 다른 이름들
    MT46H128M32L2KQ-48 IT:C-ND
    MT46H128M32L2KQ-48IT:C
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (128M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 208MHz 5.0ns 168-WFBGA (12x12)
  • 클럭 주파수
    208MHz
  • 기본 부품 번호
    MT46H128M32
  • 액세스 시간
    5.0ns

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MT46H128M32L2KQ-5 IT:A

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT46H128M32L2KQ-48 WT:C

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

MT46H128M32L2KQ-5 IT:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M32L2KQ-5 WT:B

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA

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MT46H128M16LFDD-48 IT:C

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M16LFCK-6 IT:A

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

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MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR

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MT46H128M16LFB7-6 WT:B

MT46H128M16LFB7-6 WT:B

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MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR

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