Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 메모리 > MT46H16M16LFBF-6 IT:A
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3574116MT46H16M16LFBF-6 IT:A 이미지Micron Technology

MT46H16M16LFBF-6 IT:A

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$8.907
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    MT46H16M16LFBF-6 IT:A
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    12ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    60-VFBGA (8x9)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    60-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT46H16M16LFBF-6 IT:A-ND
    MT46H16M16LFBF-6IT:A
    Q3368612
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 기본 부품 번호
    MT46H16M16
  • 액세스 시간
    5.0ns
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR

MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-6 AT:H

MT46H16M16LFBF-6 AT:H

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M32LFB5-5 IT:C

MT46H16M32LFB5-5 IT:C

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-6:A TR

MT46H16M16LFBF-6:A TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C

MT46H16M32LFB5-6 AIT:C

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-6:H

MT46H16M16LFBF-6:H

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H128M32L2MC-6 IT:A

MT46H128M32L2MC-6 IT:A

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-5 IT:H

MT46H16M16LFBF-5 IT:H

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-75:A

MT46H16M16LFBF-75:A

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-5:H TR

MT46H16M16LFBF-5:H TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-6:H TR

MT46H16M16LFBF-6:H TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-6 IT:H

MT46H16M16LFBF-6 IT:H

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M16LFBF-5:H

MT46H16M16LFBF-5:H

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H128M32L2MC-6 WT:B

MT46H128M32L2MC-6 WT:B

기술: IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR

MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오