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MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C

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  • 제품 모델
    MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • 제조업체 장치 패키지
    90-VFBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    90-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C-ND
    MT46H16M32LFBQ-5AAT:C
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (16M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    MT46H16M32
  • 액세스 시간
    5.0ns
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Micron Technology
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제조업체: Micron Technology
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MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H16M16LFBF-75:A

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

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MT46H16M32LFCG-6 IT:B

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 152VFBGA

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MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR

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MT46H16M32LFB5-6 AIT:C

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MT46H16M32LFB5-6 AT:C

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