MT46V64M8TG-6T L:F TR

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유품

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규격

제품 모델

MT46V64M8TG-6T L:F TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

MT46V64M8TG-6T L:F TR.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

15ns
전압 - 공급

2.3 V ~ 2.7 V
과학 기술

SDRAM - DDR
제조업체 장치 패키지

66-TSOP
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
다른 이름들

MT46V64M8TG-6T L:F TR-ND
MT46V64M8TG-6TL:FTR
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

4 (72 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 167MHz 700ps 66-TSOP
클럭 주파수

167MHz
기본 부품 번호

MT46V64M8
액세스 시간

700ps

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT46V64M8TG-75 L:D TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT46V64M8TG-6T:F TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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