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MT47H256M4B7-5E:A

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  • 제품 모델
    MT47H256M4B7-5E:A
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT47H256M4B7-5E:A.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    92-FBGA (11x19)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    92-VFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (256M x 4)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 200MHz 600ps 92-FBGA (11x19)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    MT47H256M4
  • 액세스 시간
    600ps

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MT47H256M4B7-37E:A

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H16M16BG-5E:B TR

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H256M4CF-3:H TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H256M4B7-5E:A TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H16M16BG-3E:B

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H256M4BT-5E:A

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H256M4BT-3:A

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H16M16BG-37V:B

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

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MT47H256M4B7-37E:A TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H256M4CF-25E:H TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H256M4CF-3 IT:H

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H1G4WTR-25E:C

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MT47H256M4BT-37E:A

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MT47H256M4CF-3:H

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