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MT47H256M8THN-25E:M TR

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  • 제품 모델
    MT47H256M8THN-25E:M TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT47H256M8THN-25E:M TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    63-FBGA (8x10)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    63-TFBGA
  • 다른 이름들
    MT47H256M8THN-25E:M TR-ND
    MT47H256M8THN-25E:MTR
  • 작동 온도
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (256M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (8x10)
  • 클럭 주파수
    400MHz
  • 기본 부품 번호
    MT47H256M8
  • 액세스 시간
    400ps

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H32M16BN-25:D TR

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제조업체: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E:C

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47H32M16BN-3 IT:D TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16BN-25E IT:D TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E:C TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47H256M8THN-25E:H TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H32M16BN-25E:D TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16BN-3:D TR

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16BN-37E IT:D TR

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