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MT47H512M4EB-25E:C

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  • 제품 모델
    MT47H512M4EB-25E:C
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT47H512M4EB-25E:C.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    60-FBGA (9x11.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    2Gb (512M x 4)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5)
  • 클럭 주파수
    400MHz
  • 기본 부품 번호
    MT47H512M4
  • 액세스 시간
    400ps

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MT47H512M4THN-3:E TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H512M4THN-25E:H

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제조업체: Micron Technology
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MT47H32M16U67A3WC1

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology
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MT47H512M4THN-3:H

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT47H512M8WTR-25E:C

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

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MT47H512M4THN-25E:M

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

제조업체: Micron Technology
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MT47H32M8BP-37V:B

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MT47H512M4EB-25E:C TR

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MT47H512M4EB-187E:C

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47H512M8WTR-25E:C TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

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MT47H32M8BP-5E:B TR

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MT47H32M16NF-25E IT:H

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MT47H32M16NF-25E:H

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

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MT47H32M16NF-25E IT:H TR

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MT47H512M4EB-3:C

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