MT47H64M8CB-5E:B TR

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규격

제품 모델

MT47H64M8CB-5E:B TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MT47H64M8CB-5E:B TR.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

15ns
전압 - 공급

1.7 V ~ 1.9 V
과학 기술

SDRAM - DDR2
제조업체 장치 패키지

60-FBGA
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

60-FBGA
다른 이름들

MT47H64M8CB-5E:B TR-ND
MT47H64M8CB-5E:BTR
작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

5 (48 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA
클럭 주파수

200MHz
기본 부품 번호

MT47H64M8
액세스 시간

600ps

다음은 "MT47H64M8CB-5E:B TR"관련 제품입니다.

MT47H64M8CF-25E L:G TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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