MT47H64M8SH-25E AAT:H

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유품

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규격

제품 모델

MT47H64M8SH-25E AAT:H
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

15ns
전압 - 공급

1.7 V ~ 1.9 V
과학 기술

SDRAM - DDR2
연속

-
다른 이름들

MT47H64M8SH-25E AAT:H-ND
MT47H64M8SH-25EAAT:H
작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
상세 설명

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
클럭 주파수

400MHz
액세스 시간

400ps

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT47H64M8CF-25E:G

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Micron Technology

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