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MT48H32M16LFB4-6 AT:C

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  • 제품 모델
    MT48H32M16LFB4-6 AT:C
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT48H32M16LFB4-6 AT:C.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • 제조업체 장치 패키지
    54-VFBGA (8x8)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q100
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    54-VFBGA
  • 다른 이름들
    MT48H32M16LFB4-6 AT:C-ND
    MT48H32M16LFB4-6AT:C
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-VFBGA (8x8)
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 기본 부품 번호
    MT48H32M16
  • 액세스 시간
    5ns

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MT48H32M16LFB4-75 IT:C

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR

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제조업체: Micron Technology
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MT48H32M16LFB4-75 IT:C TR

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MT48H16M32LFCM-75:B TR

MT48H16M32LFCM-75:B TR

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제조업체: Micron Technology
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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

MT48H32M16LFB4-6 AAT:C

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT48H32M16LFB4-6 IT:C

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT48H32M16LFBF-6:B TR

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MT48H32M16LFB4-6 AAT:C TR

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MT48H32M16LFB4-6 IT:C TR

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MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR

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MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR

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