MT48LC16M16A2TG-6A:D

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유품

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규격

제품 모델

MT48LC16M16A2TG-6A:D
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

MT48LC16M16A2TG-6A:D.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

12ns
전압 - 공급

3 V ~ 3.6 V
과학 기술

SDRAM
제조업체 장치 패키지

54-TSOP II
연속

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

2 (1 Year)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 167MHz 5.4ns 54-TSOP II
클럭 주파수

167MHz
기본 부품 번호

MT48LC16M16A2
액세스 시간

5.4ns

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MT48LC16M16A2P-7E:G

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT48LC16M16A2P-7E:D TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT48LC16M16A2P-7E L:D TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT48LC16M16A2P-7E IT:G

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT48LC16M16A2TG-75:D TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT48LC16M16A2P-7E IT:G TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT48LC16M16A2TG-6A:GTR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.

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MT48LC16M16A2TG-7E L:D TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT48LC16M16A2P-7E:D

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

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MT48LC16M16A2P-7E:G TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ