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MT49H16M18SJ-25 IT:B

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  • 제품 모델
    MT49H16M18SJ-25 IT:B
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MT49H16M18SJ-25 IT:B.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    DRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    144-FBGA (18.5x11)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    144-TBGA
  • 다른 이름들
    MT49H16M18SJ-25 IT:B-ND
    MT49H16M18SJ-25IT:B
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    288Mb (16M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    DRAM Memory IC 288Mb (16M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
  • 클럭 주파수
    400MHz
  • 액세스 시간
    20ns

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

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MT49H16M18FM-33 TR

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기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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MT49H16M18FM-25:B

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제조업체: Micron Technology
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MT49H16M36BM-18 IT:B

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기술: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

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MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

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MT49H16M18FM-25 IT:B

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MT49H16M18CSJ-25:B TR

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MT49H16M36BM-18 IT:B TR

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MT49H16M36BM-25 IT:B TR

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MT49H16M36BM-25:A

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