MT49H8M36SJ-25:B TR

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제품 모델

MT49H8M36SJ-25:B TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MT49H8M36SJ-25:B TR.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.7 V ~ 1.9 V
과학 기술

DRAM
제조업체 장치 패키지

144-FBGA (18.5x11)
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

144-TFBGA
다른 이름들

MT49H8M36SJ-25:B TR-ND
MT49H8M36SJ-25:BTR
작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

288Mb (8M x 36)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

DRAM Memory IC 288Mb (8M x 36) Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
클럭 주파수

400MHz
액세스 시간

20ns

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기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT49H8M36SJ-TI:B

기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT49H8M36FM-5 TR

기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology

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MT49H8M36SJ-25 IT:B TR

기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT4HTF1664AY-40EB1

기술: MODULE DDR2 SDRAM 128MB 240UDIMM

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT49H8M36SJ-5:B

기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology

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RFQ

MT49H8M36FM-25:B

기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology

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MT49H8M36SJ-25E:B TR

기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT49H8M36FM-25 IT:B TR

기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology

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MT4HTF12864HZ-667C1

기술: MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM

제조업체: Micron Technology

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MT4HTF12864HZ-800C1

기술: MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology

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기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

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MT4HSF3264HY-667D3

기술: MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240DIMM

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기술: IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

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기술: MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM

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