MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

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유품

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규격

제품 모델

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 4G 1866MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
ECAD 모델
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.1V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR4
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR-ND
MT53B128M32D1DS-053AUT:ATR
작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스

-
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1866MHz
클럭 주파수

1866MHz

다음은 "MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR"관련 제품입니다.

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR

기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

기술: IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

기술: IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

기술: IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

기술: IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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