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MT53B256M64D2NV MS

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  • 제품 모델
    MT53B256M64D2NV MS
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    LPDDR4 16G 1GX16 FBGA DDP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 다른 이름들
    MT53B256M64D2NV MS-ND
    MT53B256M64D2NVMS
  • 작동 온도
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64)

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MT53B256M64D2PX-062 XT:C

MT53B256M64D2PX-062 XT:C

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR

MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M64D2NL-062 XT:B

MT53B256M64D2NL-062 XT:B

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M64D2NW-062 WT:C

MT53B256M64D2NW-062 WT:C

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

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기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
RFQ
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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RFQ
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
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MT53B256M64D2NV MS TR

MT53B256M64D2NV MS TR

기술: IC SDRAM 16GBIT FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR

MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR

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기술: IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

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MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

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MT53B256M64D2NK-062 WT:C

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