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MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR

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    MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR-ND
    MT53B384M64D4TP-062XTES:BTR
  • 작동 온도
    -
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    24Gb (384M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz
  • 클럭 주파수
    1600MHz

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MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR

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기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

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기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

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기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B384M64D4NK-062 WT:B

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B4DAEZ-DC TR

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기술: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP

제조업체: Micron Technology
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MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4TX-053 WT:B

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MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR

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MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR

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기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

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MT53B4DABNK-DC

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기술: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDP

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MT53B384M64D4NZ-053 WT:C

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MT53B4DAANK-DC

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기술: LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDP

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MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4NK-062 XT:B

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기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

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MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR

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