MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

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규격

제품 모델

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 16G 1600MHZ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.1V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR4
연속

-
다른 이름들

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B-ND
MT53B512M32D2GZ-062AIT:B
작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스

-
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
클럭 주파수

1600MHz

다음은 "MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B"관련 제품입니다.

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

기술: IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2NP-062 AAT:C

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M16D1Z11NWC1

기술: LPDDR4 8G DIE 512MX16

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M16D1Z11MWC2 MS

기술: LPDDR4 8G DIE 512MX16

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2DS-062 XT:C

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B

기술: IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

기술: IC DRAM 16G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ