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MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D

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  • 제품 모델
    MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D
  • 제조업체 / 브랜드
    Micron Technology
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.1V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 연속
    -
  • 다른 이름들
    MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D-ND
    MT53B512M64D4NZ-062WTES:D
  • 작동 온도
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    32Gb (512M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    -
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 상태
    Lead free
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
  • 클럭 주파수
    1600MHz

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MT53B512M64D4NK-062 WT:B TR

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기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B512M64D4PV-062 WT:C

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기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C

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기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR

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기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

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기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT53B512M64D4NK-062 WT:C TR

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MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR

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기술: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

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MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR

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