MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR

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유품

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온라인 문의

규격

제품 모델

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.1V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR4
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
다른 이름들

MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR-ND
MT53B768M32D4NQ-053WT:BTR
작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스

-
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (768M x 32) 1866MHz
클럭 주파수

1866MHz

다음은 "MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR"관련 제품입니다.

MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR

기술: IC DRAM 48G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

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MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B768M32D4TT-062 WT:B

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

기술: IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR

기술: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

유품

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