MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E

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규격

제품 모델

MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E
제조업체 / 브랜드

Micron Technology
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.1V
과학 기술

SDRAM - Mobile LPDDR4
연속

-
다른 이름들

MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E-ND
MT53D384M64D4KA-046XTES:E
작동 온도

-30°C ~ 105°C (TC)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스

-
메모리 형식

DRAM
무연 상태

Lead free
상세 설명

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 2133MHz
클럭 주파수

2133MHz

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MT53D384M32D2DS-053 XT:C

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

유품

RFQ

MT53D384M32D2DS-053 XT:E

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT53D384M64D4KA-046 XT ES:E TR

기술: IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology

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MT53D384M64D4KA-046 XT:E

기술: IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR

기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR

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MT53D384M64D4SB-046 XT ES:D

기술: IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA

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기술: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP

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MT53D384M64D4NZ-053 WT ES:C TR

기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology

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MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR

기술: IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA

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기술: LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP

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기술: IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA

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기술: IC DRAM 12G 1866MHZ

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MT53D384M64D4KA-046 XT:E

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